Sidense 1T-OTP NVM符合台积电BCD工艺的150°C汽车级高可靠性要求

　　1T-OTP完全满足汽车温度范围要求，支持采用台积电180纳米BCD工艺技术的AEC-Q100 Grade 0应用;已被多家领先半导体公司选用，为高可靠性器件提供高成本效益的NVM

　　Marketwire 2013年4月2日加拿大安大略省渥太华市消息/明通新闻专线/--

　　领先的逻辑非易失性存储器(LNVM)一次性可编程(OTP)存储器知识产权(IP)内核开发商Sidense今日宣布，用于台积电(TSMC)180纳米BCD 1.8/5V/HV和G 1.8/5V工艺技术的1T-OTP宏已满足TSMC IP9000评估方案的所有要求。Sidense的OTP宏完全支持在-40°C至150°C温度范围内进行读取和现场可编程操作，支持各种应用，如需要在高温环境下实现可靠操作和长期数据保存的汽车电子应用。

　　Sidense已将汽车级1T-OTP宏授权给多家顶尖无晶圆厂半导体公司，这些公司也已将这个宏设计到广泛的技术领先产品中。包括仙童半导体公司、勃兰登堡MAZ公司、上海海尔集成电路有限公司以及德国ZMDI公司在内的客户，都在其各自广泛的器件中使用了Sidense的汽车级OTP，其中包括在汽车、工业、手机和消费电子产品中使用的电源管理集成电路、传感器和微控制器等。

　　Sidense销售和市场营销副总裁Tom Schild表示：“1T-OTP支持供电和高压工艺，需求正在不断增长，令我们感到非常兴奋。我们推出了具有高成本效益和高可靠性的NVM，帮助客户向市场推出具有竞争力的新电源管理集成电路(PMIC)、传感器以及其他产品。这些NVM不仅适用于对功耗和成本敏感的移动应用，还适合苛刻的高可靠性和高温使用环境。”

　　Sidense的汽车级1T-OTP宏完全符合-40°C至150°C的高温工作寿命(HTOL)要求和在150°C高温下长达2000小时的数据保持存储寿命(DRSL)要求，可满足客户需要符合AEC-Q100 Grade 0规格的器件的要求，同时还可在整个工作温度范围和全工作周期保存数据，并将数据保存10年以上。

　　宏可应用于多种多样的现成配置，从用于配置与修饰应用的256位小密度配置，到用于代码存储和多NVM应用的256千位配置。汽车级1T-OTP具备许多优势，如最大限度降低成本的小尺寸、现场可编程功能、高达128位字宽的配置以及允许许多应用执行OTP中的代码的快速读取功能。

　　关于Sidense公司

　　Sidense公司提供高安全、高密度、高可靠的非易失性和一次性可编程(OTP)存储器智权(IP)，用于标准逻辑 CMOS 工艺，无需另外的掩膜处理或工艺步骤。公司的创新型单晶体管1T-Fuse(TM)架构是业界体积最小、可靠性最高、功耗最低的逻辑非易失性存储器(LNVM)IP解决方案。Sidense公司已经获得或正在申请的专利有100多项，公司的OTP是一种现场可编程解决方案，在许多OTP和MTP应用场合可以替代闪存、掩膜ROM和eFuse产品。

　　Sidense的SiPROM、SLP和ULP存储器产品已经进入250多项客户设计中，采用的工艺从180nm低至28nm，还可以升级到20nm甚至更低。其IP已经被所有顶级半导体晶圆厂和某些集成器件制造厂采用。公司的客户采用Sidense OTP用于模拟信号调整、代码存储、密钥如 HDCP、WHDI、RFID和Chip ID等，另外在医疗、汽车、可配置处理器和逻辑器件上也有广泛应用。